CY2147-55DC
CY2147-55DC
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- 商品型号
- CY2147-55DC
- 商品编号
- C2957939
- 商品封装
- CDIP-18
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 125mA | |
| 待机电流 | 25mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY2147是一款高性能CMOS静态RAM,组织为4096 x 1位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和三态驱动器,提供了简便的内存扩展。CY2147具有自动断电功能,当未被选中时,功耗降低80%。写入设备时,芯片使能(CE)和写使能(WE)输入均为低电平。输入引脚(DI)上的数据被写入到地址引脚A0至A11指定的内存位置。读取设备时,将芯片使能(CE)置为低电平,同时写使能(WE)保持高电平。在此条件下,地址引脚指定的内存位置的内容将出现在数据输出(DO)引脚上。当芯片使能(CE)为高电平或写使能(WE)为低电平时,输出引脚保持高阻抗状态。
商品特性
- 自动断电当未被选中时
- CMOS用于速度/功耗
- 高速35 ns
- 低活动功耗
- 690 mW
- 770 mW
- 低待机功耗 — 140 mW
- TTL兼容输入和输出
- 能够承受大于2001V静电放电
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