CY62126ESL-45ZSXI

CY62126ESL是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中延长电池续航时间。当地址不切换时，该器件具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当器件被禁用（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或处于写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入和输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。要向器件写入数据，需将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。要从器件读取数据，需将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅第11页的真值表。CY62126ESL器件适用于与具有TTL输入电平的处理器接口，不适用于需要CMOS输入电平的处理器。更多详细信息和建议替代方案，请参阅第4页的电气特性。

• 超高速：45 ns
• 宽电压范围：2.2 V至3.6 V和4.5 V至5.5 V
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：1 μA
• 最大待机电流：4 μA
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1 MHz时为1.3 mA
• 通过CE（上划线）和OE（上划线）功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用互补金属氧化物半导体（CMOS）以实现最佳速度和功耗
• 提供无铅44引脚薄型小外形封装（TSOP）II型封装