CY7C1041CV33-10BAXI

CY7C1041CV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为262,144字×16位。写入设备时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则来自IO引脚（IO0至IO7）的数据将写入地址引脚（A0至A17）指定的位置。若高字节使能（BHE）为低电平，则来自IO引脚（IO8至IO15）的数据将写入地址引脚（A0至A17）指定的位置。读取设备时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若低字节使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在IO0至IO7上。若高字节使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在IO8至IO15上。有关更多信息，请参阅第9页的真值表，以获取读写模式的完整描述。当设备未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入和输出引脚（IO0至IO15）将处于高阻状态。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064《SRAM系统指南》。

• 温度范围：商业级0°C至70°C；工业级 -40°C至85°C；汽车A类 -40°C至85°C；汽车E类 -40°C至125°C
• 引脚和功能与CY7C1041BV33兼容
• 高速：tAA = 10 ns（商业级、工业级和汽车A类）；tAA = 12 ns（汽车E类）
• 低有源功率，最大324 mW
• 2.0V数据保持
• 未选中时自动掉电
• TTL兼容输入和输出
• 具有CE和OE功能，易于进行内存扩展
• 提供无铅和含铅的44引脚400密耳SOJ、44引脚TSOP II和48球FBGA封装