CY62127DV30L-55BVI

CY62127DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为64K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流。这非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，当地址不切换时，可显著降低90%的功耗。当器件被取消选择（片选信号CE为高电平，或字节高位使能BHE和字节低位使能BLE均为高电平）时，可进入待机模式，功耗降低超过99%。当器件被取消选择（CE为高电平）、输出被禁用（输出使能OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且写使能WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将片选信号CE和写使能信号WE置为低电平。若字节低位使能BLE为低电平，则将I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。若字节高位使能BHE为低电平，则将I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据写入地址引脚（A₀至A₁₅）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号CE和输出使能信号OE置为低电平，同时将写使能信号WE置为高电平。若字节低位使能BLE为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能BHE为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 温度范围：工业级：-40°C至85°C；汽车级：-40°C至125°C
• 超高速：45 ns
• 宽电压范围：2.2V至3.6V
• 引脚与CY62127BV兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流：在f = 1 MHz时为0.85 mA；在f = fMAX时为5 mA
• 超低待机功耗
• 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展，取消选择时自动掉电
• 提供48球FBGA和44引脚TSOP II封装
• 也提供无铅48球FBGA、56引脚QFN和44引脚TSOP II封装

• 移动电话