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CY62128-70SCT引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62128-70SCT

CY62128-70SCT

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商品型号
CY62128-70SCT
商品编号
C2956754
商品封装
SOIC-32​
包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流110mA
待机电流10mA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62128是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,其组织架构为131,072字×8位。该器件通过低电平有效的片选一(CE1)、高电平有效的片选二(CE2)、低电平有效的输出使能(OE)以及三态驱动器,提供了便捷的内存扩展能力。该器件具备自动掉电功能,当未被选中时,功耗可降低超过75%。写入操作通过使CE1和写使能(WE)输入为低电平、CE2输入为高电平来完成,此时数据通过八个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)写入由地址引脚(A0至A16)指定的位置。读取操作通过使CE1和OE为低电平,同时保持WE和CE2为高电平来完成,此时指定地址存储单元的内容将出现在输入/输出引脚上。当器件未被选中(CE1为高或CE2为低)、输出被禁用(OE为高)或处于写入操作期间(CE1低、CE2高且WE低)时,八个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)将处于高阻态。该器件提供标准的400密耳宽SOJ、525密耳宽(450密耳宽体宽)SOIC以及32引脚TSOP I型封装。

商品特性

  • 工作电压范围:4.5V至5.5V
  • 采用CMOS工艺,实现良好的速度与功耗平衡
  • 低工作功耗(70纳秒,LL版本):最大330毫瓦(60毫安)
  • 低待机功耗(70纳秒,LL版本):最大110微瓦(20微安)
  • 未选中时自动进入低功耗模式
  • 输入和输出与TTL电平兼容
  • 通过CE1、CE2和OE选项,便于进行内存扩展

数据手册PDF