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CY62128EV30LL-55EKJ实物图
  • CY62128EV30LL-55EKJ商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62128EV30LL-55EKJ

CY62128EV30LL-55EKJ

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商品型号
CY62128EV30LL-55EKJ
商品编号
C2956694
商品封装
SOIC-32​
包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流16mA
待机电流1uA

商品概述

CY62128EV30是一款高性能CMOS静态RAM模块,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可显著降低功耗。当器件被禁用(CE₁为高电平或CE₂为低电平)时,将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或正在进行写操作(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,八个输入输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。要向器件写入数据,需将片选(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和写使能(WE)输入置为低电平,然后将八个I/O引脚上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₆)指定的位置。要从器件读取数据,需将片选(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平,在此条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。

商品特性

  • 超高速:45 ns
  • 温度范围:工业级:-40℃至+85℃
  • 宽电压范围:2.2 V至3.6 V
  • 引脚与CY62128DV30兼容
  • 超低待机功耗
  • 典型待机电流:1 μA
  • 最大待机电流:4 μA
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.3 mA
  • 借助CE₁(上划线)、CE₂和OE(上划线)功能轻松进行内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现最佳速度和功耗
  • 提供无铅32引脚小外形集成电路(SOIC)、32引脚薄小外形封装(TSOP)I型和32引脚缩小薄小外形封装(STSOP)封装

数据手册PDF