CY62128EV30LL-55EKJ
CY62128EV30LL-55EKJ
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- 商品型号
- CY62128EV30LL-55EKJ
- 商品编号
- C2956694
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 16mA | |
| 待机电流 | 1uA |
商品概述
CY62128EV30是一款高性能CMOS静态RAM模块,组织形式为128K字×8位。该器件采用先进电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可显著降低功耗。当器件被禁用(CE₁为高电平或CE₂为低电平)时,将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或正在进行写操作(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,八个输入输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。要向器件写入数据,需将片选(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和写使能(WE)输入置为低电平,然后将八个I/O引脚上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₆)指定的位置。要从器件读取数据,需将片选(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平,在此条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。
商品特性
- 超高速:45 ns
- 温度范围:工业级:-40℃至+85℃
- 宽电压范围:2.2 V至3.6 V
- 引脚与CY62128DV30兼容
- 超低待机功耗
- 典型待机电流:1 μA
- 最大待机电流:4 μA
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.3 mA
- 借助CE₁(上划线)、CE₂和OE(上划线)功能轻松进行内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,实现最佳速度和功耗
- 提供无铅32引脚小外形集成电路(SOIC)、32引脚薄小外形封装(TSOP)I型和32引脚缩小薄小外形封装(STSOP)封装
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