CY62128ELL-55ZAXEKJ

CY62128E是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为128K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时可显著降低功耗。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上。当器件被禁用（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）或正在进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）时，八个输入和输出引脚（I/O₀至I/O₇）处于高阻状态。要向器件写入数据，需将片选（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。然后，八个I/O引脚（I/O₀至I/O₇）上的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。要从器件读取数据，需将片选（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。CY62128E器件适合与具有TTL输入电平的处理器接口，不适合需要CMOS输入电平的处理器。

• 超高速：45 ns
• 温度范围：工业级 -40°C至+85°C；汽车A类 -40°C至+85°C；汽车E类 -40°C至+125°C
• 电压范围：4.5 V至5.5 V
• 引脚与CY62128B兼容
• 超低待机功耗：典型待机电流1 μA，工业级最大待机电流4 μA
• 超低工作功耗：在f = 1 MHz时典型工作电流1.3 mA
• 通过CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用互补金属氧化物半导体（CMOS）以实现最佳速度和功耗
• 提供标准无铅32引脚STSOP、32引脚SOIC和32引脚薄型小外形封装（TSOP）I型封装