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CY62128ELL-55ZAXEKJ引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62128ELL-55ZAXEKJ

CY62128ELL-55ZAXEKJ

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商品型号
CY62128ELL-55ZAXEKJ
商品编号
C2956701
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间55ns
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃
工作电流35mA
待机电流1uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62128E是一款高性能互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器,其组织架构为128K字乘8位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低工作电流。该器件还具有自动掉电功能,当地址未切换时,可显著降低功耗。当器件处于非选中状态时,将其置于待机模式可降低超过99%的功耗。当器件处于非选中状态、输出被禁用或正在进行写入操作时,其八个输入输出引脚将处于高阻态。要对器件进行写入操作,需将芯片使能输入和写使能输入置为低电平。此时,八个输入输出引脚上的数据将被写入由地址引脚指定的位置。要从器件读取数据,需在强制写使能输入为高电平时,将芯片使能输入和输出使能输入置为低电平。在此条件下,由地址引脚指定的存储单元内容将出现在输入输出引脚上。该器件适用于与具有晶体管-晶体管逻辑输入电平的处理器接口,不适用于需要互补金属氧化物半导体输入电平的处理器。

商品特性

  • 非常高的速度:45纳秒
  • 温度范围:工业级为-40°C至+85°C,汽车-A级为-40°C至+85°C,汽车-E级为-40°C至+125°C
  • 电压范围:4.5伏至5.5伏
  • 引脚与CY62128B兼容
  • 超低待机功耗:典型待机电流为1微安,最大待机电流为4微安
  • 超低工作功耗:在频率为1兆赫兹时,典型工作电流为1.3毫安
  • 易于通过CE1、CE2和OE功能进行存储器扩展
  • 非选中时自动掉电
  • 采用互补金属氧化物半导体技术,以实现速度和功耗
  • 提供标准的无铅32引脚STSOP、32引脚SOIC和32引脚薄型小尺寸封装I型封装

数据手册PDF