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CY62128VLL-55ZIT实物图
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CY62128VLL-55ZIT

CY62128VLL-55ZIT

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商品型号
CY62128VLL-55ZIT
商品编号
C2956689
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流40mA
待机电流100uA

商品概述

CY62128V由高性能CMOS静态RAM组成,组织形式为128K字×8位。通过一个低电平有效片选信号(CE1上划线)、一个高电平有效片选信号(CE2)、一个低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器实现轻松的内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未选中时功耗降低超过99%。向器件写入数据时,将片选信号一(CE1上划线)和写使能信号(WE)置为低电平,片选信号二(CE2)置为高电平,然后将8个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号一(CE1上划线)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)和片选信号二(CE2)置为高电平,此时地址引脚指定的内存位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。

商品特性

  • 高速:55 ns和70 ns
  • 宽电压范围:2.7V - 3.6V
  • 低工作功耗和待机功耗
  • 通过CE1上划线、CE2和OE上划线功能实现轻松的内存扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS工艺以实现最佳速度/功耗比
  • 提供标准450密耳宽32引脚SOIC、32引脚TSOP - I、32引脚反向TSOP - 1和32引脚STSOP - 1封装

数据手册PDF