CY62128VL-70ZAC
CY62128VL-70ZAC
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- 商品型号
- CY62128VL-70ZAC
- 商品编号
- C2956691
- 商品封装
- TFSOP-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 40mA | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62128V系列由三款高性能CMOS静态随机存取存储器组成,每个存储器组织为131,072字,每字8位。通过低电平有效片选信号(CE₁上划线)、高电平有效片选信号(CE₂)、低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,当未被选中时,功耗降低超过99%。CY62128V系列有标准450密耳宽SOIC、32引脚TSOP - I和STSOP封装。向器件写入数据时,将片选信号一(CE₁上划线)和写使能信号(WE)置为低电平,片选信号二(CE₂)置为高电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₆)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号一(CE₁上划线)和输出使能信号(OE)置为低电平,写使能信号(WE)和片选信号二(CE₂)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE₁为高电平)或进行写操作(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。
商品特性
- 2.7V - 3.6V(CY62128V)
- 2.3V - 2.7V(CY62128V25)
- 1.6V - 2.0V(CY62128V18)
- 低电压范围
- 低工作功率和待机功率
- 通过CE和OE功能易于进行内存扩展
- TTL兼容的输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比
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