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CY62128VL-70ZAC实物图
  • CY62128VL-70ZAC商品缩略图

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CY62128VL-70ZAC

CY62128VL-70ZAC

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商品型号
CY62128VL-70ZAC
商品编号
C2956691
商品封装
TFSOP-32​
包装方式
管装
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.7V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流40mA
待机电流100uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62128V系列由三款高性能CMOS静态随机存取存储器组成,每个存储器组织为131,072字,每字8位。通过低电平有效片选信号(CE₁上划线)、高电平有效片选信号(CE₂)、低电平有效输出使能信号(OE)和三态驱动器可轻松实现内存扩展。这些器件具有自动掉电功能,当未被选中时,功耗降低超过99%。CY62128V系列有标准450密耳宽SOIC、32引脚TSOP - I和STSOP封装。向器件写入数据时,将片选信号一(CE₁上划线)和写使能信号(WE)置为低电平,片选信号二(CE₂)置为高电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₆)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号一(CE₁上划线)和输出使能信号(OE)置为低电平,写使能信号(WE)和片选信号二(CE₂)置为高电平,此时地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE₁为高电平)或进行写操作(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。

商品特性

  • 2.7V - 3.6V(CY62128V)
  • 2.3V - 2.7V(CY62128V25)
  • 1.6V - 2.0V(CY62128V18)
  • 低电压范围
  • 低工作功率和待机功率
  • 通过CE和OE功能易于进行内存扩展
  • TTL兼容的输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比

数据手册PDF