CY62128VL-70SCT

CY62128V系列由三个高性能CMOS静态RAM组成，组织为131,072字×8位。通过低有效芯片使能(CE)和低有效输出使能(OE)以及三态驱动器，提供简便的内存扩展。这些器件具有自动掉电功能，当未被选中时，功耗降低超过99%。CY62128V系列提供标准的450密耳宽SOIC、TSOP和STSOP封装。写入设备通过将芯片使能一(CE1)和写使能(WE)输入置为低电平，芯片使能二(CE2)输入置为高电平来实现。然后，八个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从设备读取通过将芯片使能一(CE1)和输出使能(OE)置为低电平，同时强制写使能(WE)和芯片使能二(CE2)为高电平来实现。在这些条件下，地址引脚指定的内存位置的内容将出现在I/O引脚上。当设备未被选中(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或写入操作期间(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平)时，八个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)被置于高阻抗状态。

• 低电压范围：-2.7V至3.6V (CY62128V)；-2.3V至2.7V (CY62128V25)；-1.6V至2.0V (CY62128V18)
• 低工作功耗和待机功耗
• 通过CE和OE功能实现简便的内存扩展
• TTL兼容输入和输出
• 未选中时自动掉电