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CY62128VL-70SCT实物图
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CY62128VL-70SCT

CY62128VL-70SCT

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商品型号
CY62128VL-70SCT
商品编号
C2956692
商品封装
SOIC-32​
包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量1Mbit
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
读写时间70ns
工作温度0℃~+70℃
工作电流40mA
待机电流100uA

商品概述

CY62128V系列由三款高性能CMOS静态随机存取存储器组成,这些存储器被组织为131,072字×8位。通过一个低电平有效芯片使能(CE)、低电平有效输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。这些器件具有自动掉电功能,在未被选中时,功耗降低超过99%。CY62128V系列采用标准的450密耳宽SOIC、TSOP和STSOP封装。向器件写入数据时,将芯片使能一(CE1上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,芯片使能二(CE2)输入置为高电平。然后,八个I/O引脚(I/O0至I/O7)上的数据将被写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能一(CE1上划线)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)和芯片使能二(CE2)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE1上划线为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)或在写操作期间(CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),八个输入/输出引脚(I/O0至I/O7)处于高阻态。

商品特性

  • 低电压范围:
    • 2.7V - 3.6V(CY62128V)
    • 2.3V - 2.7V(CY62128V25)
    • 1.6V - 2.0V(CY62128V18)
  • 低工作功率和待机功率
  • 借助CE和OE功能轻松实现存储器扩展
  • TTL兼容的输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功率比

数据手册PDF