CY62137CV18LL-70BAIT

CY62137CV18是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为128K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中延长电池续航时间。当地址不切换时，该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低99%。当器件未被选中（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，也可进入待机模式。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。CY62137CV18采用48球FBGA封装。

• 高速 — 有55 ns和70 ns可选
• 低电压范围：-1.65V至-1.95V
• 引脚与CY62137BV18兼容
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1 MHz时为0.5 mA
• 典型工作电流：在f = fmax（70 ns速度）时为1.5 mA
• 低待机功耗
• 通过CE和OE功能轻松进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS工艺，实现最佳速度/功耗比

• 移动电话