CY62136CV30LL-70BVXI

CY62136CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织方式为128K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流。这非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航能力。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可显著降低80%的功耗。当器件被取消选择（CE为高电平）时，可进入待机模式，功耗降低超过99%。当器件被取消选择（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 超高速
• 55 ns
• 电压范围：2.7V - 3.3V
• 与CY62136V引脚兼容
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：1.5 mA（频率为1 MHz时）
• 典型工作电流：7 mA（频率为最大频率时，55 ns速度）
• 低待机功耗
• 借助CE（上划线）和OE（上划线）功能轻松进行内存扩展
• 取消选择时自动掉电
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅48球VFBGA封装

• 移动电话