CY62136VLL-55BAIT
CY62136VLL-55BAIT
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- 商品型号
- CY62136VLL-55BAIT
- 商品编号
- C2956676
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 20mA | |
| 待机电流 | 15uA |
商品概述
CY62136V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为128K字×16位。该器件采用先进电路设计,提供超低工作电流。它非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当未选中(CE为高电平)时,器件也可进入待机模式。当未选中(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,输入/输出引脚(I/O0至I/O15)处于高阻抗状态。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O0至I/O7)的数据将写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。如果高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O8至I/O15)的数据将写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。如果高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O8至I/O15上。
商品特性
- 高速
- 速度为55 ns
- 温度范围:工业级为 -40°C至85°C,汽车级为 -40°C至125°C
- 宽电压范围:2.7V - 3.6V
- 超低工作和待机功耗
- 具备CE和OE功能,易于进行内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 提供无铅和含铅的44引脚TSOP II(正向引脚排列)和48球FBGA封装
应用领域
- 便携式应用
- 移动电话
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