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CY62136VLL-55BAIT实物图
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CY62136VLL-55BAIT

CY62136VLL-55BAIT

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商品型号
CY62136VLL-55BAIT
商品编号
C2956676
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流20mA
待机电流15uA

商品概述

CY62136V是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为128K字×16位。该器件采用先进电路设计,提供超低工作电流。它非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当未选中(CE为高电平)时,器件也可进入待机模式。当未选中(CE为高电平)、输出禁用(OE为高电平)、BHE和BLE禁用(BHE、BLE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,输入/输出引脚(I/O0至I/O15)处于高阻抗状态。向器件写入数据时,将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O0至I/O7)的数据将写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。如果高字节使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O8至I/O15)的数据将写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。从器件读取数据时,将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。如果低字节使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O0至I/O7上。如果高字节使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O8至I/O15上。

商品特性

  • 高速
  • 速度为55 ns
  • 温度范围:工业级为 -40°C至85°C,汽车级为 -40°C至125°C
  • 宽电压范围:2.7V - 3.6V
  • 超低工作和待机功耗
  • 具备CE和OE功能,易于进行内存扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
  • 提供无铅和含铅的44引脚TSOP II(正向引脚排列)和48球FBGA封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 移动电话

数据手册PDF