CY62137CV18LL-70BAI

CY62137CV18是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为128K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中延长电池续航时间。当地址不切换时，该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低99%。当器件未被选中（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，也可进入待机模式。当器件未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。CY62137CV18采用48球FBGA封装。

• 高速 —55 ns 和 70 ns 可用性
• 低电压范围：-1.65V 至 1.95V
• 引脚兼容 CY62137BV18
• 超低有功功率
  • 典型有功电流：0.5 mA @ f = 1 MHz
  • 典型有功电流：1.5 mA @ f = f_max(70 ns 速度)
• 低待机功率
• 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展存储器
• 取消选择时自动断电
• CMOS 实现速度/功率

• 移动电话