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CY62137BV18LL-70BAI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62137BV18LL-70BAI

CY62137BV18LL-70BAI

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商品型号
CY62137BV18LL-70BAI
商品编号
C2956668
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压1.75V~1.95V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流7mA
待机电流15uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62137BV18 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器,其组织架构为 131,072 字 × 16 位。该器件采用先进的电路设计,提供极低的工作电流,这使其非常适合为便携应用(如蜂窝电话)提供更长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,当地址未切换时,可显著降低功耗达 99%。当器件未被选中(CE 为高电平)或当 CE 为低电平且 BLE 和 BHE 均为高电平时,器件也可进入待机模式。当出现以下情况时,输入/输出引脚(I/O0 至 I/O15)将置于高阻态:器件未被选中(CE 为高电平)、输出被禁用(OE 为高电平)、BHE 和 BLE 被禁用(BHE、BLE 为高电平),或在写入操作期间(CE 为低电平,且 WE 为低电平)。通过将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成对器件的写入。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自 I/O 引脚(I/O0 至 I/O7)的数据将被写入由地址引脚(A0 至 A16)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自 I/O 引脚(I/O8 至 I/O15)的数据将被写入由地址引脚(A0 至 A16)指定的位置。通过将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时强制写使能(WE)为高电平,即可从器件读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平,则由地址引脚指定的存储单元的数据将出现在 I/O0 至 I/O7 上。如果字节高使能(BHE)为低电平,则存储器中的数据将出现在 I/O8 至 I/O15 上。该器件采用 48 球 FBGA 封装。

商品特性

  • 低电压工作范围:1.75V 至 1.95V
  • 超低工作及待机功耗
  • 通过 CE 和 OE 功能易于实现存储器扩展
  • 兼容 TTL 的输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用 CMOS 工艺实现速度与功耗的平衡

应用领域

  • 便携设备

数据手册PDF