CY62137BV18LL-70BAI
CY62137BV18LL-70BAI
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- 商品型号
- CY62137BV18LL-70BAI
- 商品编号
- C2956668
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 1.75V~1.95V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 7mA | |
| 待机电流 | 15uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62137BV18 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器,其组织架构为 131,072 字 × 16 位。该器件采用先进的电路设计,提供极低的工作电流,这使其非常适合为便携应用(如蜂窝电话)提供更长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,当地址未切换时,可显著降低功耗达 99%。当器件未被选中(CE 为高电平)或当 CE 为低电平且 BLE 和 BHE 均为高电平时,器件也可进入待机模式。当出现以下情况时,输入/输出引脚(I/O0 至 I/O15)将置于高阻态:器件未被选中(CE 为高电平)、输出被禁用(OE 为高电平)、BHE 和 BLE 被禁用(BHE、BLE 为高电平),或在写入操作期间(CE 为低电平,且 WE 为低电平)。通过将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成对器件的写入。如果字节低使能(BLE)为低电平,则来自 I/O 引脚(I/O0 至 I/O7)的数据将被写入由地址引脚(A0 至 A16)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平,则来自 I/O 引脚(I/O8 至 I/O15)的数据将被写入由地址引脚(A0 至 A16)指定的位置。通过将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时强制写使能(WE)为高电平,即可从器件读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平,则由地址引脚指定的存储单元的数据将出现在 I/O0 至 I/O7 上。如果字节高使能(BHE)为低电平,则存储器中的数据将出现在 I/O8 至 I/O15 上。该器件采用 48 球 FBGA 封装。
商品特性
- 低电压工作范围:1.75V 至 1.95V
- 超低工作及待机功耗
- 通过 CE 和 OE 功能易于实现存储器扩展
- 兼容 TTL 的输入和输出
- 未选中时自动掉电
- 采用 CMOS 工艺实现速度与功耗的平衡
应用领域
- 便携设备
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