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CY62137CV30LL-55BVI实物图
  • CY62137CV30LL-55BVI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62137CV30LL-55BVI

CY62137CV30LL-55BVI

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商品型号
CY62137CV30LL-55BVI
商品编号
C2956662
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压2.7V~3.3V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流15mA
待机电流2uA

商品概述

CY62137CV30/33和CY62137CV是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为128K字×16位。这些器件采用先进电路设计,提供超低工作电流,非常适合为便携式应用(如手机)提供更长电池续航。器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低80%;当器件被取消选择(芯片使能CE为高电平,或字节低使能BLE和字节高使能BHE均为高电平)进入待机模式时,功耗降低超过99%。在以下条件下,输入和输出引脚(IO₀至IO₁₅)处于高阻态:取消选择(CE为高电平);输出禁用(OE为高电平);BHE和BLE均禁用(BHE、BLE为高电平);写操作激活(CE为低电平且写使能WE为低电平)。通过将CE和WE输入置为低电平向器件写入数据;通过将芯片使能CE和输出使能OE置为低电平,同时将写使能WE置为高电平从器件读取数据。

商品特性

  • 超高速:55 ns
  • 温度范围:工业级:-40°C至+85°C;汽车级E:-40°C至+125°C
  • 与CY62137V引脚兼容
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:f = 1 MHz时为1.5 mA;f = fMAX(55 ns速度)时为7 mA
  • 低和超低待机功耗
  • 借助CE和OE功能轻松进行内存扩展
  • 取消选择时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度和功耗
  • 提供无铅和含铅48球FBGA封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF