CY62137CV30LL-70BAI
CY62137CV30LL-70BAI
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- 商品型号
- CY62137CV30LL-70BAI
- 商品编号
- C2956660
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 12mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62137CV30/33和CY62137CV是高性能CMOS静态RAM,组织为128K字×16位。这些器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流。这非常适合在便携式应用(如蜂窝电话)中提供更长的电池寿命(MoBL)。这些器件还具有自动断电功能,当地址不切换时,功耗显著降低80%。当器件被取消选择时,进入待机模式可降低功耗99%以上;芯片使能(CE)为高或字节低使能(BLE)和字节高使能(BHE)均为高。输入输出引脚(IO0至IO15)在以下条件下处于高阻抗状态:取消选择(CE高)输出禁用(OE高)BHE和BLE均禁用(BHE、BLE高)写操作激活(CE低和写使能(WE)低)通过将CE和WE输入置低来写入器件。如果BLE为低,则来自IO引脚(IO0至IO7)的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。如果BHE为低,则来自IO引脚(IO8至IO15)的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置低,同时强制写使能(WE)为高来读取器件。如果BLE为低,则由地址引脚指定的存储器位置的数据出现在IO0至IO7上。如果BHE为低,则存储器数据出现在IO8至IO15上。
商品特性
- 速度非常快:55 ns
- 温度范围:工业级:-40℃ 至 +85℃;汽车-E级:-40℃ 至 +125℃
- 引脚兼容CY62137V
- 超低工作功耗:典型工作电流:在 f = 1 MHz 时为 1.5 mA;在 f = fMAX(55 ns 速度)时为 7 mA
- 低和超低待机功耗
- 通过CE和OE功能轻松扩展存储器
- 取消选择时自动断电
- CMOS技术实现速度和功耗
- 提供无铅和非无铅48球FBGA封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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