CY62137CV30LL-70BVI
CY62137CV30LL-70BVI
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- 商品型号
- CY62137CV30LL-70BVI
- 商品编号
- C2956658
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 12mA | |
| 待机电流 | 2uA |
商品概述
CY62137CV30/33和CY62137CV是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为128K字×16位。这些器件采用先进电路设计,提供超低工作电流,非常适合为便携式应用(如手机)提供更长电池续航。器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低80%;当器件被取消选择(芯片使能CE为高电平,或字节低使能BLE和字节高使能BHE均为高电平)进入待机模式时,功耗降低超过99%。在以下条件下,输入和输出引脚(IO₀至IO₁₅)处于高阻态:取消选择(CE为高电平);输出禁用(OE为高电平);BHE和BLE均禁用(BHE、BLE为高电平);写操作激活(CE为低电平且写使能WE为低电平)。通过将CE和WE输入置为低电平向器件写入数据;通过将芯片使能CE和输出使能OE置为低电平,同时将写使能WE置为高电平从器件读取数据。
商品特性
- 超高速:55 ns
- 温度范围:工业级:-40°C至+85°C;汽车级E:-40°C至+125°C
- 与CY62137V引脚兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:f = 1 MHz时为1.5 mA;f = fMAX(55 ns速度)时为7 mA
- 低和超低待机功耗
- 借助CE和OE功能轻松进行内存扩展
- 取消选择时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度和功耗
- 提供无铅和含铅48球FBGA封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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