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CY62137CV30LL-70BVI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62137CV30LL-70BVI

CY62137CV30LL-70BVI

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商品型号
CY62137CV30LL-70BVI
商品编号
C2956658
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压2.7V~3.3V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流12mA
待机电流2uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62137CV30/33和CY62137CV是高性能CMOS静态RAM,组织为128K字×16位。这些器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流。这非常适合在便携式应用(如蜂窝电话)中提供更长的电池寿命(MoBL)。这些器件还具有自动断电功能,当地址不切换时,功耗显著降低80%。当器件被取消选择时,进入待机模式可降低功耗99%以上;芯片使能(CE)为高或字节低使能(BLE)和字节高使能(BHE)均为高。输入输出引脚(IO0至IO15)在以下条件下处于高阻抗状态:取消选择(CE高)输出禁用(OE高)BHE和BLE均禁用(BHE、BLE高)写操作激活(CE低和写使能(WE)低)通过将CE和WE输入置低来写入器件。如果BLE为低,则来自IO引脚(IO0至IO7)的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。如果BHE为低,则来自IO引脚(IO8至IO15)的数据写入地址引脚(A0至A16)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置低,同时强制写使能(WE)为高来读取器件。如果BLE为低,则由地址引脚指定的存储器位置的数据出现在IO0至IO7上。如果BHE为低,则存储器数据出现在IO8至IO15上。

商品特性

  • 速度非常快:55 ns
  • 温度范围:工业级:-40℃ 至 +85℃;汽车-E级:-40℃ 至 +125℃
  • 引脚兼容CY62137V
  • 超低工作功耗:典型工作电流:在 f = 1 MHz 时为 1.5 mA;在 f = fMAX(55 ns 速度)时为 7 mA
  • 低和超低待机功耗
  • 通过CE和OE功能轻松扩展存储器
  • 取消选择时自动断电
  • CMOS技术实现速度和功耗
  • 提供无铅和非无铅48球FBGA封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF