CY62137CV30LL-70BVXI

CY62137CV25/30/33和CY62137CV是高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为128K字×16位。这些器件采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间。器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低80%。当器件被取消选择（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，可进入待机模式，功耗降低超过99%。当器件被取消选择（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻状态。向器件写入数据时，将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。从器件读取数据时，将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 超高速：55 ns和70 ns
• 温度范围：工业级为 -40°C至 +85°C；汽车级为 -40°C至 +125°C
• 与CY62137V引脚兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流在f = 1 MHz时为1.5 mA；在f = fmax（70 ns速度）时为5.5 mA
• 低和超低待机功耗
• 通过CE和OE功能轻松实现内存扩展，取消选择时自动掉电
• 采用CMOS工艺，实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅48球FBGA封装

• 移动电话
• 便携式应用