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CY62146DV30L-70BVI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62146DV30L-70BVI

CY62146DV30L-70BVI

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商品型号
CY62146DV30L-70BVI
商品编号
C2956634
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流15mA
待机电流12uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62146DV30是一款高性能CMOS静态RAM,其组织架构为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低的工作电流。它具备自动掉电功能,当器件未被选中时,可显著降低功耗。当芯片使能(CE)为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当器件未被选中(CE高)、输出被禁用(OE高)、字节高使能和字节低使能均被禁用(BHE、BLE高)或处于写入操作期间(CE低且WE低)时,其输入/输出引脚(I/O0至I/O15)将处于高阻态。

商品特性

  • 速度非常快:45纳秒
  • 工作电压范围宽:2.20伏至3.60伏
  • 引脚与CY62146CV30兼容
  • 超低工作功耗:典型工作电流为1.5毫安@频率=1兆赫兹;典型工作电流为8毫安@频率=最大频率
  • 超低待机功耗
  • 通过CE(上划线)和OE(上划线)功能易于进行存储器扩展
  • 采用CMOS技术以实现速度与功耗的优化
  • 提供48球BGA和44引脚TSOPII封装
  • 也可提供无铅封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF