CY62146CV30LL-70BAIT
CY62146CV30LL-70BAIT
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- 商品型号
- CY62146CV30LL-70BAIT
- 商品编号
- C2956636
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 12mA | |
| 待机电流 | 7uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62146CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织架构为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流。当地址不切换时,其自动掉电功能可将功耗显著降低80%。当器件未被选中时,可进入待机模式,将功耗降低99%。写入操作通过使芯片使能和写使能输入为低电平来完成。如果字节低使能为低,则数据从I/O引脚写入由地址引脚指定的位置。如果字节高使能为低,则数据从I/O引脚写入由地址引脚指定的位置。读取操作通过使芯片使能和输出使能为低电平,同时强制写使能为高电平来完成。如果字节低使能为低,则由地址引脚指定的存储单元数据将出现在I/O0至I/O7上。如果字节高使能为低,则存储器数据将出现在I/O8至I/O15上。该器件采用48球FBGA封装。
商品特性
- 高速:55纳秒和70纳秒版本
- 电压范围:2.7伏至3.3伏
- 引脚与CY62146V兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:1.5毫安(频率为1兆赫兹时)
- 典型工作电流:5.5毫安(频率为最大值,70纳秒速度时)
- 低待机功耗
- 通过芯片使能和输出使能特性易于存储器扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS工艺实现速度与功耗比
应用领域
- 移动电话
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