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CY62146CV30LL-70BAIT引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62146CV30LL-70BAIT

CY62146CV30LL-70BAIT

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商品型号
CY62146CV30LL-70BAIT
商品编号
C2956636
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.7V~3.3V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流12mA
待机电流7uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62146CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织架构为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,提供超低工作电流。当地址不切换时,其自动掉电功能可将功耗显著降低80%。当器件未被选中时,可进入待机模式,将功耗降低99%。写入操作通过使芯片使能和写使能输入为低电平来完成。如果字节低使能为低,则数据从I/O引脚写入由地址引脚指定的位置。如果字节高使能为低,则数据从I/O引脚写入由地址引脚指定的位置。读取操作通过使芯片使能和输出使能为低电平,同时强制写使能为高电平来完成。如果字节低使能为低,则由地址引脚指定的存储单元数据将出现在I/O0至I/O7上。如果字节高使能为低,则存储器数据将出现在I/O8至I/O15上。该器件采用48球FBGA封装。

商品特性

  • 高速:55纳秒和70纳秒版本
  • 电压范围:2.7伏至3.3伏
  • 引脚与CY62146V兼容
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:1.5毫安(频率为1兆赫兹时)
  • 典型工作电流:5.5毫安(频率为最大值,70纳秒速度时)
  • 低待机功耗
  • 通过芯片使能和输出使能特性易于存储器扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS工艺实现速度与功耗比

应用领域

  • 移动电话

数据手册PDF