CY62146CV30LL-70BAIT

CY62146CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间（MoBL™）。当地址不切换时，该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低80%。当未被选中（CE为高电平）时，该器件还可进入待机模式，将功耗降低99%。当未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀ - I/O₁₅）处于高阻态。向该器件写入数据时，需将芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀ - I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀ - A₁₇）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈ - I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀ - A₁₇）指定的位置。从该器件读取数据时，需将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写入使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀ - I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈ - I/O₁₅上。CY62146CV30采用48球FBGA封装。

• 高速：有55 ns和70 ns可选
• 电压范围：CY62146CV30为2.7V - 3.3V
• 引脚与CY62146V兼容
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1 MHz时为1.5 mA
• 典型工作电流：在f = fmax（70 ns速度）时为5.5 mA
• 低待机功耗
• 借助CE和OE功能易于进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比

• 移动电话