立创商城logo
购物车0
CY62138CV33LL-70BAI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62138CV33LL-70BAI

CY62138CV33LL-70BAI

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
CY62138CV33LL-70BAI
商品编号
C2956645
商品封装
TFBGA-36​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量2Mbit
工作电压3V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流5.5mA
待机电流5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62138CV25/30/33和CY62138CV是高性能CMOS静态RAM,组织为256K字乘以8位。该器件采用先进的电路设计,提供超低有功电流。这非常适合在便携式应用中提供更长电池寿命。该器件还具有自动断电功能,当地址不切换时,功耗显著降低百分之八十。当取消选择时,器件可进入待机模式,功耗降低超过百分之九十九。写入器件通过将芯片使能1和写使能输入置低,芯片使能2置高来完成。然后,八个输入输出引脚上的数据写入地址引脚指定的位置。从器件读取通过将芯片使能1和输出使能置低,同时强制写使能和芯片使能2置高来完成。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在输入输出引脚上。当器件取消选择、输出禁用或写入操作期间,八个输入输出引脚置于高阻抗状态。有关读写模式的完整描述,请参见数据手册背面的真值表。

商品特性

  • 高速:55纳秒和70纳秒
  • 电压范围:CY62138CV25为2.2伏至2.7伏,CY62138CV30为2.7伏至3.3伏,CY62138CV33为3.0伏至3.6伏,CY62138CV为2.7伏至3.6伏
  • 引脚兼容CY62138V
  • 超低有功功率:典型有功电流为1.5毫安在频率等于1兆赫兹时,典型有功电流为5.5毫安在频率等于最大频率时
  • 低待机功率
  • 易于存储器扩展,具有芯片使能1、芯片使能2和输出使能功能
  • 取消选择时自动断电
  • 提供36球FBGA封装

数据手册PDF