CY62146CV18LL-55BAI

CY62146CV18是一款高性能CMOS静态RAM，组织形式为256K字×16位。这些器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间（MoBL™）。该器件还具有自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低99%。当未选中（CE为高电平）时，器件也可进入待机模式。当未选中（CE为高电平）、输出禁用（OE为高电平）、BHE和BLE禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE为低电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。向器件写入数据是通过将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平来实现的。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₆）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从器件读取数据是通过将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平来实现的。如果字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。CY62146CV18采用48球FBGA封装。

• 高速
• 有55 ns和70 ns可选
• 低电压范围：-1.65V - 1.95V
• 与CY62146BV18引脚兼容
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：在f = 1 MHz时为0.5 mA
• 典型工作电流：在f = fmax(70 ns速度)时为2 mA
• 低待机功耗
• 借助CE和OE功能易于进行内存扩展
• 未选中时自动掉电
• CMOS工艺实现最佳速度/功耗比

• 移动电话