CY62146CV30LL-55BAI
CY62146CV30LL-55BAI
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- 商品型号
- CY62146CV30LL-55BAI
- 商品编号
- C2956638
- 商品封装
- TFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.3V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 15mA | |
| 待机电流 | 7uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62146CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。当地址不切换时,该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低80%。当未被选中(CE为高电平)时,该器件可进入待机模式,功耗降低99%。当未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写入操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₀ - I/O₁₅)处于高阻态。写入操作通过将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。读取操作通过将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平来完成。CY62146CV30采用48球FBGA封装。
商品特性
- 高速:有55 ns和70 ns可选
- 电压范围:CY62146CV30为2.7V - 3.3V
- 引脚与CY62146V兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:1.5 mA(f = 1 MHz)
- 典型工作电流:5.5 mA(f = fmax(70 ns速度))
- 低待机功耗
- 通过CE和OE功能实现轻松的内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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