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CY62146CV30LL-70BAI实物图
  • CY62146CV30LL-70BAI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62146CV30LL-70BAI

CY62146CV30LL-70BAI

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商品型号
CY62146CV30LL-70BAI
商品编号
C2956637
商品封装
TFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.7V~3.3V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流5.5mA
待机电流7uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62146CV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中提供更长的电池续航时间。当地址不切换时,该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低80%。当未被选中(CE为高电平)时,该器件可进入待机模式,功耗降低99%。当未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写入操作期间(CE为低电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₀ - I/O₁₅)处于高阻态。写入操作通过将片选(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来完成。读取操作通过将片选(CE)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平来完成。CY62146CV30采用48球FBGA封装。

商品特性

  • 高速:有55 ns和70 ns可选
  • 电压范围:CY62146CV30为2.7V - 3.3V
  • 引脚与CY62146V兼容
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:1.5 mA(f = 1 MHz)
  • 典型工作电流:5.5 mA(f = fmax(70 ns速度))
  • 低待机功耗
  • 通过CE和OE功能实现轻松的内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

数据手册PDF