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CY62146DV30LL-70ZSXI实物图
  • CY62146DV30LL-70ZSXI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62146DV30LL-70ZSXI

CY62146DV30LL-70ZSXI

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商品型号
CY62146DV30LL-70ZSXI
商品编号
C2956629
商品封装
TSOPII-44​
包装方式
管装
商品毛重
1.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
读写时间70ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流10mA
待机电流8uA

商品概述

CY62146DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中延长电池续航时间。它还具备自动掉电功能,能显著降低功耗。当未被选中(CE为高电平)时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)在以下情况下处于高阻态:未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平)。该器件有48球VFBGA和44引脚TSOPII封装可供选择。

商品特性

  • 超高速:45 ns
  • 宽电压范围:2.20V - 3.60V
  • 与CY62146CV30引脚兼容
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.5 mA;在f = fmax时为8 mA
  • 超低待机功耗
  • 借助CE(上划线)和OE(上划线)功能轻松进行内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
  • 提供48球BGA和44引脚TSOPII封装
  • 也提供无铅封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 手机

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