CY62146DV30LL-70ZSXI
CY62146DV30LL-70ZSXI
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- 商品型号
- CY62146DV30LL-70ZSXI
- 商品编号
- C2956629
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 8uA |
商品概述
CY62146DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如手机)中延长电池续航时间。它还具备自动掉电功能,能显著降低功耗。当未被选中(CE为高电平)时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)在以下情况下处于高阻态:未被选中(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE为低电平且WE为低电平)。该器件有48球VFBGA和44引脚TSOPII封装可供选择。
商品特性
- 超高速:45 ns
- 宽电压范围:2.20V - 3.60V
- 与CY62146CV30引脚兼容
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.5 mA;在f = fmax时为8 mA
- 超低待机功耗
- 借助CE(上划线)和OE(上划线)功能轻松进行内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 提供48球BGA和44引脚TSOPII封装
- 也提供无铅封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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