CY62146DV30LL-55BVI
CY62146DV30LL-55BVI
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- 商品型号
- CY62146DV30LL-55BVI
- 商品编号
- C2956633
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 8uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62146DV30是一款高性能CMOS静态RAM,其组织架构为256K字×16位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低的工作电流。它具备自动掉电功能,当器件未被选中时,可显著降低功耗。当芯片使能(CE)为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当器件未被选中(CE高)、输出被禁用(OE高)、字节高使能和字节低使能均被禁用(BHE、BLE高)或处于写入操作期间(CE低且WE低)时,其输入/输出引脚(I/O0至I/O15)将处于高阻态。
商品特性
- 速度非常快:45纳秒
- 工作电压范围宽:2.20伏至3.60伏
- 引脚与CY62146CV30兼容
- 超低工作功耗:典型工作电流为1.5毫安@频率=1兆赫兹;典型工作电流为8毫安@频率=最大频率
- 超低待机功耗
- 通过CE(上划线)和OE(上划线)功能易于进行存储器扩展
- 采用CMOS技术以实现速度与功耗的优化
- 提供48球BGA和44引脚TSOPII封装
- 也可提供无铅封装
应用领域
- 便携式应用
- 手机
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