CY62147CV18LL-70BAI

CY62147CV18 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，组织为 256K 字 × 16 位。该器件采用先进电路设计，提供超低有功电流。这对于在便携式应用（如蜂窝电话）中提供更长的电池寿命（MoBL）非常理想。该器件还具有自动断电功能，当地址不切换时，功耗显著降低99%。当取消选择时（CE 为高电平或 BLE 和 BHE 均为高电平），该器件也可进入待机模式。输入/输出引脚（I/O0 至 I/O15）在以下情况下置于高阻抗状态：取消选择（CE 为高电平）、输出禁用（OE 为高电平）、字节高使能和字节低使能均禁用（BHE、BLE 为高电平），或写入操作期间（CE 低电平且 WE 低电平）。写入器件通过将芯片使能（CE）和写入使能（WE）输入置为低电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则来自 I/O 引脚（I/O0 至 I/O7）的数据被写入地址引脚（A0 至 A17）指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，则来自 I/O 引脚（I/O8 至 I/O15）的数据被写入地址引脚（A0 至 A17）指定的位置。从器件读取通过将芯片使能（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时强制写入使能（WE）为高电平来实现。如果字节低使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储器位置的数据将出现在 I/O0 至 I/O7 上。如果字节高使能（BHE）为低电平，则存储器数据将出现在 I/O8 至 I/O15 上。该器件采用 48 球 FBGA 封装。

• 高速，55 ns 和 70 ns 可用性
• 低电压范围：-1.65V 至 1.95V
• 引脚兼容 CY62147BV18
• 超低有功功率
• 典型有功电流：0.5 mA @ f = 1 MHz
• 典型有功电流：2 mA @ f = fmax（70 ns 速度）
• 低待机功率
• 通过 CE 和 OE 功能轻松扩展存储器
• 取消选择时自动断电

• 便携式应用
• 手机