CY62147DV18LL-70BVIT

CY62147DV18是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为256K字×16位。该器件采用先进电路设计，提供超低工作电流，非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间（More Battery Life™，MoBL™）。该器件还具备自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中（CE为高电平，或BLE和BHE均为高电平）时，器件可进入待机模式，功耗降低超过99%。当未被选中（CE为高电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE为低电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，需将片选（CE）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₇）指定的位置。从器件读取数据时，需将片选（CE）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。CY62147DV18采用48球FBGA封装。

• 非常高的速度：55 ns 和 70 ns
• 宽电压范围：1.65V ~ 2.25V
• 引脚兼容 CY62147CV18
• 超低有功功率，典型有功电流：1 mA @ f = 1 MHz，典型有功电流：6 mA @ f = fmax
• 超低待机功率
• 易于通过 CE 和 OE 功能进行存储器扩展
• 取消选择时自动断电
• 提供 48-ball BGA 封装

• 移动电话