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CY62148DV30L-70SXI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62148DV30L-70SXI

CY62148DV30L-70SXI

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商品型号
CY62148DV30L-70SXI
商品编号
C2956559
商品封装
SOIC-32​
包装方式
管装
商品毛重
2.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流15mA
待机电流2uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

该器件是一款高性能互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器,组织为512K字×8位。它采用先进电路设计以提供超低工作电流,这使其非常适合在便携式应用中延长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当器件被取消选择时,可进入待机模式以降低功耗。写入操作通过将芯片使能和写使能输入置为低电平来完成。读取操作通过将芯片使能和输出使能置为低电平,同时将写使能强制为高电平来完成。当器件被取消选择、输出被禁用或处于写入操作期间时,其八个输入/输出引脚将处于高阻抗状态。

商品特性

  • 非常高的速度:55纳秒
  • 宽电压范围:2.20伏至3.60伏
  • 与CY62148CV25、CY62148CV30和CY62148CV33引脚兼容
  • 超低工作功耗,典型工作电流为1.5毫安(在频率为1兆赫兹时),典型工作电流为8毫安(在最大频率,即55纳秒速度时)
  • 超低待机功耗
  • 通过芯片使能和输出使能特性易于存储器扩展
  • 取消选择时自动掉电
  • 采用互补金属氧化物半导体技术以实现优化的速度与功耗比
  • 提供的封装:36球栅格阵列、32引脚薄型小尺寸封装II和32引脚小外形集成电路

应用领域

  • 移动电话

数据手册PDF