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CY62148CV30LL-55BAI引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62148CV30LL-55BAI

CY62148CV30LL-55BAI

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商品型号
CY62148CV30LL-55BAI
商品编号
C2956569
商品封装
TFBGA-36​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量4Mbit
工作电压2.7V~3.3V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流7uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62148CV25/30/33是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为512K字×8位。该器件采用先进电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可显著降低80%的功耗。当未选中该器件(CE为高电平)时,可进入待机模式。向该器件写入数据时,将片选信号(CE)和写使能信号(WE)输入置为低电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从该器件读取数据时,将片选信号(CE)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当未选中该器件(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。CY62148CV25/30/33采用36球FBGA封装。

商品特性

  • 高速:有55 ns和70 ns可选
  • 低电压范围:CY62148CV25为2.2V - 2.7V;CY62148CV30为2.7V - 3.3V;CY62148CV33为3.0V - 3.6V
  • 引脚与CY62148V兼容
  • 超低工作功耗:典型工作电流在f = 1 MHz时为1.5 mA;在f = fmax(70 ns速度)时为5.5 mA
  • 低待机功耗
  • 借助CE和OE功能易于进行内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS工艺,实现速度/功耗的优化

应用领域

  • 便携式应用
  • 移动电话

数据手册PDF