CY62148CV33LL-70BVI
CY62148CV33LL-70BVI
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- 商品型号
- CY62148CV33LL-70BVI
- 商品编号
- C2956564
- 商品封装
- VFBGA-36
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 5.5mA | |
| 待机电流 | 8uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62148CV25/30/33是高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为512K字×8位。该器件采用先进电路设计,可提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能,当地址不切换时,可显著降低80%的功耗。当未选中该器件(CE为高电平)时,可进入待机模式。向该器件写入数据时,将片选信号(CE)和写使能信号(WE)输入置为低电平,然后将8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从该器件读取数据时,将片选信号(CE)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当未选中该器件(CE为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或进行写操作(CE为低电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)处于高阻态。CY62148CV25/30/33采用36球FBGA封装。
商品特性
- 高速:有55 ns和70 ns可选
- 低电压范围:CY62148CV25为2.2V - 2.7V;CY62148CV30为2.7V - 3.3V;CY62148CV33为3.0V - 3.6V
- 引脚与CY62148V兼容
- 超低工作功耗:典型工作电流在f = 1 MHz时为1.5 mA;在f = fmax(70 ns速度)时为5.5 mA
- 低待机功耗
- 借助CE和OE功能易于进行内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS工艺,实现速度/功耗的优化
应用领域
- 便携式应用
- 移动电话
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