CY62157DV30L-55ZSXI
CY62157DV30L-55ZSXI
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- 商品型号
- CY62157DV30L-55ZSXI
- 商品编号
- C2956512
- 商品封装
- TSOP-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 20mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未被选中时(CE₁为高电平或CE₂为低电平,或BHE和BLE均为高电平),器件可进入待机模式。当未被选中(CE₁为高电平或CE₂为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写操作期间(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O₀至I/O₁₅)处于高阻抗状态。向器件写入数据时,将片选信号(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和写使能信号(WE)置为低电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₀至I/O₇)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则来自I/O引脚(I/O₈至I/O₁₅)的数据将写入地址引脚(A₀至A₁₈)指定的位置。从器件读取数据时,将片选信号(CE₁为低电平且CE₂为高电平)和输出使能信号(OE)置为低电平,同时将写使能信号(WE)置为高电平。如果字节低位使能(BLE)为低电平,则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能(BHE)为低电平,则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。
商品特性
- 温度范围:工业级:-40°C 至 85°C;汽车-A级:-40°C 至 85°C;汽车-E级:-40°C 至 125°C
- 非常高速:45 ns
- 宽电压范围:2.20V 至 3.60V
- 引脚兼容 CY62157CV25、CY62157CV30 和 CY62157CV33
- 超低有功功率
- 典型有功电流:1.5 mA @ f = 1 MHz
- 典型有功电流:12 mA @ f = f_max
- 超低待机功率
- 易于存储器扩展,具有 CE1、CE2 和 OE 功能
- 取消选择时自动断电
- 提供无铅和非无铅 48-ball FBGA、44-pin TSOPII 和无铅 48-pin TSOPI 封装
应用领域
- 移动电话
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