CY62157DV30LL-45ZSXI

CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平），器件可进入待机模式。当未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻抗状态。向器件写入数据时，将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能信号（WE）置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。

• 温度范围：工业级为 -40°C至85°C；汽车A类为 -40°C至85°C；汽车E类为 -40°C至125°C
• 超高速：45 ns
• 宽电压范围：2.20V - 3.60V
• 与CY62157CV25、CY62157CV30和CY62157CV33引脚兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流在f = 1 MHz时为1.5 mA；在f = fmax时为12 mA
• 超低待机功耗
• 借助CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能轻松进行内存扩展，未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅的48球FBGA、44引脚TSOPII和无铅48引脚TSOPI封装

• 移动电话