CY62157DV30L-70BVXI
CY62157DV30L-70BVXI
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- 商品型号
- CY62157DV30L-70BVXI
- 商品编号
- C2956510
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 20mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织架构为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低工作电流。这非常适合为便携式应用(例如蜂窝电话)提供更长的电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当取消选中时,该器件也可以进入待机模式。当取消选中、输出被禁用、字节高使能和字节低使能均被禁用或写入操作期间,输入/输出引脚处于高阻抗状态。通过使芯片使能和写使能输入为低电平来写入器件。如果字节低使能为低电平,则来自输入/输出引脚的数据被写入地址引脚指定的位置。如果字节高使能为低电平,则来自输入/输出引脚的数据被写入地址引脚指定的位置。通过使芯片使能和输出使能为低电平,同时强制写使能为高电平来从器件读取数据。如果字节低使能为低电平,则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在输入/输出0至输入/输出7上。如果字节高使能为低电平,则存储器的数据将出现在输入/输出8至输入/输出15上。
商品特性
- 温度范围:工业级-40℃至85℃,汽车级-40℃至125℃
- 高速度:45纳秒、55纳秒和70纳秒
- 宽电压范围:2.20伏至3.60伏
- 引脚与CY62157CV25、CY62157CV30和CY62157CV33兼容
- 超低工作功耗:典型工作电流1.5毫安@频率=1兆赫,典型工作电流12毫安@频率=最大频率
- 超低待机功耗
- 易于使用芯片使能1、芯片使能2和输出使能功能进行存储器扩展
- 取消选中时自动掉电
- 提供无铅和非无铅的48球FBGA、48引脚TSOPI和44引脚TSOPII封装
应用领域
- 移动电话
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