CY62157DV30L-70BVXI

CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中提供更长的电池续航时间（MoBL®）。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当器件被取消选择（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，可进入待机模式。当器件被取消选择（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写入操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平），输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）处于高阻态。向器件写入数据时，需将芯片使能（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，需将芯片使能（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅真值表。

• 温度范围：工业级：-40°C至85°C；汽车级：-40°C至125°C
• 超高速：45 ns、55 ns和70 ns
• 宽电压范围：2.20V - 3.60V
• 与CY62157CV25、CY62157CV30和CY62157CV33引脚兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流：在f = 1 MHz时为1.5 mA；在f = fmax时为12 mA
• 超低待机功耗
• 借助CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能轻松实现内存扩展
• 取消选择时自动掉电
• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功耗比
• 提供的封装形式：无铅和含铅的48球FBGA、48引脚TSOPI和44引脚TSOPII

• 移动电话