CY62157DV30LL-70BVXI

CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中实现更长的电池续航时间（MoBL®）。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平），器件可进入待机模式。当出现以下情况时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）将处于高阻态：未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）。向器件写入数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅真值表。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064《SRAM系统指南》。

• 温度范围：工业级 -40°C至85°C
• 超高速：55 ns
• 宽电压范围：2.20V - 3.60V
• 引脚与CY62157CV25、CY62157CV30和CY62157CV33兼容
• 超低工作功耗：典型工作电流在f = 1 MHz时为1.5 mA，在f = fmax时为12 mA
• 超低待机功耗
• 借助CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能轻松实现内存扩展
• 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅的48球FBGA封装，以及无铅的44引脚TSOPII封装

• 便携式应用
• 手机