CY62157DV30LL-70BVXI

CY62157DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为512K字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中实现更长的电池续航时间（MoBL®）。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平），器件可进入待机模式。当出现以下情况时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）将处于高阻态：未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）。向器件写入数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₁₈）指定的位置。从器件读取数据时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。如果字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。如果字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅真值表。有关最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记AN1064《SRAM系统指南》。

• 温度范围 — 工业级：-40°C 至 85°C
• 速度非常快：55 ns
• 宽电压范围：2.20V 至 3.60V
• 引脚兼容 CY62157CV25、CY62157CV30 和 CY62157CV33
• 超低工作功耗，典型工作电流：1.5 mA @ f = 1 MHz，典型工作电流：12 mA @ f = fmax
• 超低待机功耗
• 易于内存扩展，具有 CE1、CE2 和 OE 功能
• 取消选择时自动断电
• CMOS 技术，实现速度/功耗比
• 提供无铅和非无铅 48-ball FBGA，以及无铅 44-pin TSOPII 封装

• 便携式应用
• 手机