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CY62167DV20LL-55BVI

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品牌名称: Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
商品型号: CY62167DV20LL-55BVI
商品编号: C2956483
商品封装: VFBGA-48
包装方式: 管装
商品毛重: 0.05克(g)

商品参数

	属性	参数值
	读写时间	55ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	待机电流	2.5uA

商品概述

CY62167DV20是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为1024K字×16位。该器件采用先进的电路设计，提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如移动电话）中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低99%。当片选使能1（CE1上划线）为高电平、片选使能2（CE2）为低电平，或字节高位使能（BHE）和字节低位使能（BLE）均为高电平时，器件可进入待机模式，功耗降低超过99%。当出现以下情况时，输入/输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻态：片选使能1（CE1上划线）为高电平、片选使能2（CE2）为低电平、输出使能（OE）为高电平、字节高位使能和字节低位使能均禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（片选使能1（CE1上划线）为低电平、片选使能2（CE2）为高电平且写使能（WE）为低电平）。向器件写入数据时，需将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平，写使能（WE）输入置为低电平。读取器件数据时，需将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平、输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。

商品特性

超高速：55 ns和70 ns
宽电压范围：1.65V至2.2V
超低工作功耗
- 典型工作电流：当f = 1 MHz时为1.5 mA
- 典型工作电流：当f = fMAX时为18 mA
超低待机功耗
通过CE1、CE2和OE功能实现轻松的内存扩展
未选中时自动掉电
采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
提供48球FBGA封装

应用领域

便携式应用
移动电话

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	16Mbit
	工作电压	1.65V~2.2V