CY62158DV30LL-70ZSXI
CY62158DV30LL-70ZSXI
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- 商品型号
- CY62158DV30LL-70ZSXI
- 商品编号
- C2956490
- 商品封装
- TSOPII-44
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 15mA | |
| 待机电流 | 2uA |
商品概述
CY62158DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为1024K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流。它非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未被选中(CE₁为高电平或CE₂为低电平)时,器件可进入待机模式,将功耗降低85%。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE₁上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,片选使能2(CE₂)置为高电平。然后,八个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。从器件读取数据时,需将片选使能1(CE₁上划线)和输出使能(OE)置为低电平,片选使能2(CE₂)置为高电平,同时将写使能(WE)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE₁为低电平且CE₂为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或在写操作期间(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平),八个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)将处于高阻态。
商品特性
- 非常高的速度:45 ns、55 ns和70 ns
- 宽电压范围:2.20V – 3.60V
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.5 mA
- 典型工作电流:在f = fmax时为12 mA
- 超低待机功耗
- 通过CE₁上划线、CE₂和OE上划线功能实现轻松的内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
- 提供48球BGA、48引脚TSOPI和44引脚TSOPII封装
应用领域
- 便携式应用
- 移动电话
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