CY62158DV30LL-55BVXIT
CY62158DV30LL-55BVXIT
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- 商品型号
- CY62158DV30LL-55BVXIT
- 商品编号
- C2956494
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 15mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62158DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为1024K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流。这非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间(MoBL®)。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未选中时(CE₁为高电平或CE₂为低电平),器件可进入待机模式,将功耗降低85%。向器件写入数据时,将片选1(CE₁上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,片选2(CE₂)置为高电平。然后,8个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。从器件读取数据时,将片选1(CE₁上划线)和输出使能(OE)置为低电平,片选2(CE₂)置为高电平,同时将写使能(WE)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE₁为低电平且CE₂为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或处于写操作期间(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平)时,8个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)将处于高阻态。
商品特性
- 速度高:45纳秒、55纳秒和70纳秒
- 电压范围宽:2.20伏至3.60伏
- 工作功耗极低:典型工作电流为1.5毫安@频率=1兆赫兹;典型工作电流为12毫安@频率=最大频率
- 待机功耗极低
- 具备CE1、CE2和OE功能,易于存储器扩展;未选中时自动进入掉电模式
- 采用互补金属氧化物半导体技术,实现速度与功耗的平衡
- 提供48球栅阵列、48引脚薄型小尺寸封装一型和44引脚薄型小尺寸封装二型封装
应用领域
- 移动电话
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