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CY62158DV30L-55BVI实物图
  • CY62158DV30L-55BVI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62158DV30L-55BVI

CY62158DV30L-55BVI

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商品型号
CY62158DV30L-55BVI
商品编号
C2956498
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量8Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流20mA
待机电流2uA

商品概述

CY62158DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织为1024K字×8位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流。它非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长的电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当未被选中(CE₁为高电平或CE₂为低电平)时,器件可进入待机模式,将功耗降低85%。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE₁上划线)和写使能(WE)输入置为低电平,片选使能2(CE₂)置为高电平。然后,八个I/O引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入地址引脚(A₀至A₁₉)指定的位置。从器件读取数据时,需将片选使能1(CE₁上划线)和输出使能(OE)置为低电平,片选使能2(CE₂)置为高电平,同时将写使能(WE)置为高电平。在这些条件下,地址引脚指定的存储位置的内容将出现在I/O引脚上。当器件未被选中(CE₁为低电平且CE₂为高电平)、输出被禁用(OE为高电平)或在写操作期间(CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平),八个输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)将处于高阻态。

商品特性

  • 非常高的速度:45 ns、55 ns和70 ns
  • 宽电压范围:2.20V – 3.60V
  • 超低工作功耗
    • 典型工作电流:在f = 1 MHz时为1.5 mA
    • 典型工作电流:在f = fmax时为12 mA
  • 超低待机功耗
  • 通过CE₁上划线、CE₂和OE上划线功能实现轻松的内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
  • 提供48球BGA、48引脚TSOPI和44引脚TSOPII封装

应用领域

  • 便携式应用
  • 移动电话

数据手册PDF