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CY62167DV18LL-70BVI实物图
  • CY62167DV18LL-70BVI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62167DV18LL-70BVI

CY62167DV18LL-70BVI

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商品型号
CY62167DV18LL-70BVI
商品编号
C2956485
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Mbit
工作电压1.65V~1.95V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流25mA
待机电流20uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62167DV18是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为1024K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。当地址不切换时,该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平或字节高位使能(BHE)和字节低位使能(BLE)均为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平、输出使能(OE)为高电平、字节高位使能和字节低位使能均为高电平或处于写操作(片选使能1(CE1上划线)为低电平、片选使能2(CE2)为高电平且写使能(WE)为低电平)时,输入/输出引脚(I/O0至I/O15)处于高阻态。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平且写使能(WE)输入置为低电平。从器件读取数据时,需将片选使能1(CE1)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平、输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。

商品特性

  • 超高速:55 ns和70 ns
  • 电压范围:1.65V至1.95V
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:当f = 1 MHz时为1.5 mA
  • 典型工作电流:当f = fMAX时为15 mA
  • 超低待机功耗
  • 可通过CE轻松进行内存扩展
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS技术,实现最佳速度/功耗比
  • 提供48球FBGA封装

应用领域

  • 移动电话
  • 便携式应用

数据手册PDF