CY62167DV18LL-70BVI
CY62167DV18LL-70BVI
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- 商品型号
- CY62167DV18LL-70BVI
- 商品编号
- C2956485
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 1.65V~1.95V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 25mA | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62167DV18是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为1024K字×16位。该器件采用先进的电路设计,可提供超低的工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中延长电池续航时间。当地址不切换时,该器件的自动掉电功能可将功耗显著降低99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平或字节高位使能(BHE)和字节低位使能(BLE)均为高电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。当片选使能1(CE1上划线)为高电平、片选使能2(CE2)为低电平、输出使能(OE)为高电平、字节高位使能和字节低位使能均为高电平或处于写操作(片选使能1(CE1上划线)为低电平、片选使能2(CE2)为高电平且写使能(WE)为低电平)时,输入/输出引脚(I/O0至I/O15)处于高阻态。向器件写入数据时,需将片选使能1(CE1上划线)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平且写使能(WE)输入置为低电平。从器件读取数据时,需将片选使能1(CE1)置为低电平、片选使能2(CE2)置为高电平、输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。
商品特性
- 超高速:55 ns和70 ns
- 电压范围:1.65V至1.95V
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:当f = 1 MHz时为1.5 mA
- 典型工作电流:当f = fMAX时为15 mA
- 超低待机功耗
- 可通过CE轻松进行内存扩展
- 未选中时自动掉电
- 采用CMOS技术,实现最佳速度/功耗比
- 提供48球FBGA封装
应用领域
- 移动电话
- 便携式应用
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