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CY62256-70ZCT引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62256-70ZCT

CY62256-70ZCT

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商品型号
CY62256-70ZCT
商品编号
C2956458
商品封装
TSSOP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流55mA
待机电流5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62256是一款高性能CMOS静态RAM,组织为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供了简便的内存扩展。该器件具有自动断电功能,在未选中时功耗降低99.9%。CY62256采用标准的450密耳宽(300密耳体宽)SOIC、TSOP和600密耳PDIP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A14)上的地址所寻址的存储器位置。读取器件通过选择器件并使能输出(CE和OE为低电平有效)来完成,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,由地址引脚信息寻址的位置的内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出被使能且写使能(WE)为高电平。

商品特性

  • 4.5V-5.5V工作电压
  • 低工作功耗(70 ns,LL版本)— 275 mW(最大)
  • 低待机功耗(70 ns,LL版本)— 28 μW(最大)
  • 55, 70 ns访问时间
  • 通过CE和OE功能实现简便的内存扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动断电

数据手册PDF