CY62256-70ZCT
CY62256-70ZCT
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- 商品型号
- CY62256-70ZCT
- 商品编号
- C2956458
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 55mA | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256是一款高性能CMOS静态RAM,组织为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)和输出使能(OE)以及三态驱动器,提供了简便的内存扩展。该器件具有自动断电功能,在未选中时功耗降低99.9%。CY62256采用标准的450密耳宽(300密耳体宽)SOIC、TSOP和600密耳PDIP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的写/读操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O0至I/O7)上的数据被写入由地址引脚(A0至A14)上的地址所寻址的存储器位置。读取器件通过选择器件并使能输出(CE和OE为低电平有效)来完成,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,由地址引脚信息寻址的位置的内容出现在八个数据输入/输出引脚上。输入/输出引脚保持高阻抗状态,除非芯片被选中、输出被使能且写使能(WE)为高电平。
商品特性
- 4.5V-5.5V工作电压
- 低工作功耗(70 ns,LL版本)— 275 mW(最大)
- 低待机功耗(70 ns,LL版本)— 28 μW(最大)
- 55, 70 ns访问时间
- 通过CE和OE功能实现简便的内存扩展
- TTL兼容输入和输出
- 未选中时自动断电
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