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CY62168DV30LL-55BVI引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62168DV30LL-55BVI

CY62168DV30LL-55BVI

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商品型号
CY62168DV30LL-55BVI
商品编号
C2956467
商品封装
VFBGA-48​
包装方式
管装
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间55ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流30mA
待机电流2.5uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62168DV30是一款高性能互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器,其组织架构为2048K字×8位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低工作电流。这非常适合为便携式应用(如蜂窝电话)延长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当地址不切换时,器件可进入待机模式,功耗降低90%。当取消选择芯片使能1为高电平或芯片使能2为低电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。

商品特性

  • 非常高的速度:55纳秒
  • 宽电压范围:2.2伏至3.6伏
  • 超低工作功耗:典型工作电流在频率为1兆赫兹时为2毫安;在最高频率(55纳秒速度)下为15毫安
  • 超低待机功耗
  • 易于存储器扩展,具备芯片使能1非、芯片使能2和输出使能非特性
  • 取消选择时自动掉电
  • 互补金属氧化物半导体技术,实现速度与功耗的平衡

数据手册PDF