CY62168DV30LL-55BVI
CY62168DV30LL-55BVI
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 商品型号
- CY62168DV30LL-55BVI
- 商品编号
- C2956467
- 商品封装
- VFBGA-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 2.5uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62168DV30是一款高性能互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器,其组织架构为2048K字×8位。该器件采用先进的电路设计,以提供超低工作电流。这非常适合为便携式应用(如蜂窝电话)延长电池寿命。该器件还具有自动掉电功能,可显著降低功耗。当地址不切换时,器件可进入待机模式,功耗降低90%。当取消选择芯片使能1为高电平或芯片使能2为低电平时,器件可进入待机模式,功耗降低超过99%。
商品特性
- 非常高的速度:55纳秒
- 宽电压范围:2.2伏至3.6伏
- 超低工作功耗:典型工作电流在频率为1兆赫兹时为2毫安;在最高频率(55纳秒速度)下为15毫安
- 超低待机功耗
- 易于存储器扩展,具备芯片使能1非、芯片使能2和输出使能非特性
- 取消选择时自动掉电
- 互补金属氧化物半导体技术,实现速度与功耗的平衡
- CY62168DV30L-70BVI
- CY62167G30-45BVXI
- CY62167DV30LL-70ZXI
- CY62167DV30LL-70ZI
- CY62167DV30LL-70BVXI
- CY62167DV30LL-70BVI
- CY62167DV30LL-55ZXIT
- CY62167DV20LL-5BVI
- CY62167DV20LL-55BVI
- CY62167DV20L-70BVI
- CY62167DV18LL-70BVI
- CY62167DV18LL-55BVI
- CY62162G30-45BGXIT
- CY7C026AV-25AC
- CY62256L-70SNXIT
- CY62158DV30LL-70ZSXI
- CY62158DV30LL-70BVXI
- CY62158DV30LL-70BVI
- CY62158DV30LL-55BVXIT
- CY62158DV30LL-55BVXI
- CY62158DV30LL-55BVIT
- CY62168DV30L-70BVI
- CY62167G30-45BVXI
- CY62167DV30LL-70ZXI
- CY62167DV30LL-70ZI
- CY62167DV30LL-70BVXI
- CY62167DV30LL-70BVI
- CY62167DV30LL-55ZXIT
- CY62167DV20LL-5BVI
- CY62167DV20LL-55BVI
- CY62167DV20L-70BVI
- CY62167DV18LL-70BVI
- CY62167DV18LL-55BVI
- CY62162G30-45BGXIT
- CY7C026AV-25AC
- CY62256L-70SNXIT
- CY62158DV30LL-70ZSXI
- CY7B923-SC
- CY2309SI-1
- CY62167EV30LL-45XIKA
- CY62167EV18LL-558VXI
- S25FL064LABMFB011

