CY62168DV30L-70BVI

CY62168DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为2048K字×8位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低90%。当片选使能1（CE1上划线）为高电平或片选使能2（CE2）为低电平时，器件可进入待机模式，功耗降低超过99%。当片选使能1（CE1上划线）为高电平或片选使能2（CE2）为低电平、输出禁用（OE为高电平）或在写操作期间（片选使能1（CE1上划线）为低电平、片选使能2（CE2）为高电平且写使能（WE）为低电平），输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。向器件写入数据时，将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平且写使能（WE）输入置为低电平，然后将8个I/O引脚（I/O0至I/O7）上的数据写入地址引脚（A0至A20）指定的位置。从器件读取数据时，将片选使能1（CE1上划线）置为低电平、片选使能2（CE2）置为高电平且输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。在这些条件下，地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。当器件被取消选择（CE1上划线为低电平且CE2为高电平）、输出禁用（OE为高电平）或在写操作期间（CE1上划线为低电平、CE2为高电平且WE为低电平），8个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）处于高阻态。有关读写模式的完整描述，请参阅本数据手册后面的真值表。

• 非常高的速度：55 ns 和 70 ns
• 宽电压范围：2.2V 至 3.6V
• 超低有功功率
• 典型有功电流：2 mA @ f = 1 MHz
• 典型有功电流：15 mA @ f = f_MAX
• 超低待机功率
• 使用 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
• 取消选择时自动断电
• 提供 48-ball FBGA 封装