CY62167DV30LL-55ZI
CY62167DV30LL-55ZI
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- 商品型号
- CY62167DV30LL-55ZI
- 商品编号
- C2956481
- 商品封装
- TFSOP-48
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 工作电压 | 2.2V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 55ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 30mA | |
| 待机电流 | 2.5uA |
商品概述
CY62167DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为1M字×16位。该器件采用先进电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当器件被取消选择(CE1为高电平或CE2为低电平,或BHE和BLE均为高电平)时,可进入待机模式。当器件被取消选择(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写入操作期间(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O0至I/O15)将处于高阻态。向器件写入数据时,需将芯片使能(CE1为低电平且CE2为高电平)和写使能(WE)输入置为低电平。从器件读取数据时,需将芯片使能(CE1为低电平且CE2为高电平)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。
商品特性
- TSOP I可配置为1M×16或2M×8 SRAM
- 超高速:45 ns
- 宽电压范围:2.2 V - 3.6 V
- 超低工作功耗
- 典型工作电流:2 mA @ f = 1 MHz
- 典型工作电流:18.5 mA @ f = fMax (45 ns速度)
- 超低待机功耗
- 借助CE1、CE2和OE功能轻松进行内存扩展
- 取消选择时自动掉电
- 采用CMOS技术实现最佳速度/功耗比
- 提供无铅和含铅的48球VFBGA和48引脚TSOP I封装
应用领域
- 移动电话
- 便携式应用
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