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CY62167DV30LL-55ZI实物图
  • CY62167DV30LL-55ZI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62167DV30LL-55ZI

CY62167DV30LL-55ZI

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商品型号
CY62167DV30LL-55ZI
商品编号
C2956481
商品封装
TFSOP-48​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量16Mbit
工作电压2.2V~3.6V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流30mA
待机电流2.5uA

商品概述

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器,组织形式为1M字×16位。该器件采用先进电路设计,提供超低工作电流,非常适合在便携式应用(如移动电话)中提供更长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能,当地址不切换时,可将功耗显著降低99%。当器件被取消选择(CE1为高电平或CE2为低电平,或BHE和BLE均为高电平)时,可进入待机模式。当器件被取消选择(CE1为高电平或CE2为低电平)、输出被禁用(OE为高电平)、字节高位使能和字节低位使能均被禁用(BHE、BLE为高电平)或在写入操作期间(CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平),输入/输出引脚(I/O0至I/O15)将处于高阻态。向器件写入数据时,需将芯片使能(CE1为低电平且CE2为高电平)和写使能(WE)输入置为低电平。从器件读取数据时,需将芯片使能(CE1为低电平且CE2为高电平)和输出使能(OE)置为低电平,同时将写使能(WE)置为高电平。

商品特性

  • TSOP I可配置为1M×16或2M×8 SRAM
  • 超高速:45 ns
  • 宽电压范围:2.2 V - 3.6 V
  • 超低工作功耗
  • 典型工作电流:2 mA @ f = 1 MHz
  • 典型工作电流:18.5 mA @ f = fMax (45 ns速度)
  • 超低待机功耗
  • 借助CE1、CE2和OE功能轻松进行内存扩展
  • 取消选择时自动掉电
  • 采用CMOS技术实现最佳速度/功耗比
  • 提供无铅和含铅的48球VFBGA和48引脚TSOP I封装

应用领域

  • 移动电话
  • 便携式应用

数据手册PDF