CY62167DV30LL-70ZI

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织形式为1M字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在诸如移动电话等便携式应用中延长电池续航时间。该器件还具备自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低99%。当器件被取消选择（CE1为高电平或CE2为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，可进入待机模式。当器件被取消选择（CE1为高电平或CE2为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或处于写操作（CE1为低电平、CE2为高电平且WE为低电平）时，输入/输出引脚（I/O0至I/O15）处于高阻态。向器件写入数据时，将片选信号（CE1为低电平且CE2为高电平）和写使能（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则将I/O引脚（I/O0至I/O7）的数据写入地址引脚（A0至A19）指定的位置；若字节高位使能（BHE）为低电平，则将I/O引脚（I/O8至I/O15）的数据写入地址引脚（A0至A19）指定的位置。从器件读取数据时，将片选信号（CE1为低电平且CE2为高电平）和输出使能（OE）置为低电平，同时将写使能（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储单元的数据将出现在I/O0至I/O7上；若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储单元的数据将出现在I/O8至I/O15上。

• TSOP I可配置为1M x 16或2M x 8 SRAM
• 超高速：45 ns
• 宽电压范围：2.2 V - 3.6 V
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：2 mA @ f = 1 MHz
• 典型工作电流：18.5 mA @ f = fMax (45 ns速度)
• 超低待机功耗
• 通过CE1、CE2和OE功能轻松实现内存扩展
• 取消选择时自动掉电
• 采用CMOS技术以实现最佳速度/功耗比
• 提供无铅和含铅的48球VFBGA和48引脚TSOP I封装

• 移动电话