CY62177DV30L-70BAI

CY62177DV30是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为2M字×16位。该器件采用先进的电路设计，可提供超低的工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。该器件还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当未被选中时（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平），器件可进入待机模式。当出现以下情况时，输入/输出引脚（I/O₀至I/O₁₅）会处于高阻态：未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或在写操作期间（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）。对器件进行写操作时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能信号（WE）输入置为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₀至I/O₇）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₂₀）指定的位置。若字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（I/O₈至I/O₁₅）的数据将被写入地址引脚（A₀至A₂₀）指定的位置。对器件进行读操作时，需将片选信号（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能信号（OE）置为低电平，同时将写使能信号（WE）置为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在I/O₀至I/O₇上。若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在I/O₈至I/O₁₅上。有关读写模式的完整描述，请参阅真值表。

• 超高速：55 ns和70 ns
• 宽电压范围：2.20V ~ 3.60V
• 超低工作功耗 典型工作电流：2 mA @ f = 1 MHz 典型工作电流：15 mA @ f = fmax
• 超低待机功耗
• 通过CE₁（上划线）、CE₂和OE（上划线）功能实现轻松的内存扩展 未选中时自动掉电
• 采用CMOS技术，实现最佳速度/功耗比
• 提供48球FBGA封装

• 便携式应用
• 手机