CY62187EV30LL-70BAXI

CY62187EV30是一款高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为4M字×16位。该器件采用先进电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中延长电池续航时间。它还具备自动掉电功能，当地址不切换时，可将功耗显著降低99%。当器件未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平，或BHE和BLE均为高电平）时，可进入待机模式。当器件未被选中（CE₁为高电平或CE₂为低电平）、输出被禁用（OE为高电平）、字节高位使能和字节低位使能均被禁用（BHE、BLE为高电平）或进行写操作（CE₁为低电平、CE₂为高电平且WE为低电平）时，输入和输出引脚（IO₀至IO₁₅）处于高阻状态。写入时，使芯片使能（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和写使能（WE）输入为低电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则来自I/O引脚（IO₀至IO₇）的数据将写入地址引脚（A₀至A₂₁）指定的位置；若字节高位使能（BHE）为低电平，则来自I/O引脚（IO₈至IO₁₅）的数据将写入地址引脚（A₀至A₂₁）指定的位置。读取时，使芯片使能（CE₁为低电平且CE₂为高电平）和输出使能（OE）为低电平，同时使写使能（WE）为高电平。若字节低位使能（BLE）为低电平，则地址引脚指定的存储位置的数据将出现在IO₀至IO₇上；若字节高位使能（BHE）为低电平，则存储的数据将出现在IO₈至IO₁₅上。

• 非常高的速度
• 55 ns
• 宽电压范围
• 2.2V 至 3.7V
• 超低待机功耗
• 典型待机电流：8 μA
• 最大待机电流：48 μA
• 超低工作功耗
• 典型工作电流：4.0 mA，频率为 1 MHz 时
• 易于使用 CE1、CE2 和 OE 功能进行存储器扩展
• 取消选择时自动断电
• CMOS 用于速度和功率
• 提供无铅 48 球 FBGA 封装

• 便携式应用
• 手机