2301/C
P沟道,电流:-2.0A,耐压:-17V
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- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 2301/C
- 商品编号
- C2932002
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 650mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 332pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH3030G6采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -17 V,ID = -2.0 A
- RDS(ON) < 115 m Ω(VGS = -4.5 V时)
- RDS(ON) < 165 m Ω(VGS = -2.5 V时)
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理