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4060K
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 4060K这款产品使用先进的槽道技术，拥有极佳的RDS和超低栅极电荷。它非常适合用在UPS、电源开关和普通应用中
- 品牌名称
- FM(富满)
- 商品型号
- 4060K
- 商品编号
- C2932018
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.246nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
2060A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 40V、60A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 6.8 mΩ(典型值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 9.5 mΩ(典型值)
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源